첨단 복합 반도체 기술 플랫폼을 갖춘 세계적인 웨이퍼 파운드리인 SANAN INTEGRATED CIRCUIT(Sanan IC)은 성장세에 있으며 650V 및 1200V 실리콘 카바이드(SiC) 기기와 650V 갤륨 니트라이드(GaN) 전력 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)에 활용되는 자사의 와이드 밴드갭 전력전자 파운드리 서비스 포트폴리오에 대해 전 세계적으로 액세스를 제공한다고 발표했다. 레이먼드 카이(Raymond Cai) Sanan I...